Politechnika Rzeszowska im. Ignacego Łukasiewicza - Centralny System Uwierzytelniania
Strona główna

Mikroelektronika

Informacje ogólne

Kod przedmiotu: ET/U-DI>M
Kod Erasmus / ISCED: (brak danych) / (brak danych)
Nazwa przedmiotu: Mikroelektronika
Jednostka: Zakład Systemów Elektronicznych i Telekomunikacyjnych
Grupy: Przedmioty 6 sem. - elektronika i telekom-urządzenia ele. st. inż.
Punkty ECTS i inne: 3.00 Podstawowe informacje o zasadach przyporządkowania punktów ECTS:
  • roczny wymiar godzinowy nakładu pracy studenta konieczny do osiągnięcia zakładanych efektów uczenia się dla danego etapu studiów wynosi 1500-1800 h, co odpowiada 60 ECTS;
  • tygodniowy wymiar godzinowy nakładu pracy studenta wynosi 45 h;
  • 1 punkt ECTS odpowiada 25-30 godzinom pracy studenta potrzebnej do osiągnięcia zakładanych efektów uczenia się;
  • tygodniowy nakład pracy studenta konieczny do osiągnięcia zakładanych efektów uczenia się pozwala uzyskać 1,5 ECTS;
  • nakład pracy potrzebny do zaliczenia przedmiotu, któremu przypisano 3 ECTS, stanowi 10% semestralnego obciążenia studenta.
Język prowadzenia: polski
Pełny opis:

Moduł należy do grupy modułów kształcenia w zakresie kluczowych zagadnień z kierunku elektronika i telekomunikacja

Treści kształcenia

- Ogólna charakterystyka procesu technologicznego elementów i układów elektronicznych.Terminologia i podstawowe pojęcia.

- Technologie półprzewodnikowe: otrzymywanie podłoży krzemowych, technologie wytwarzania tranzystorów bipolarnych i polowych, układów scalonych (dyfuzja, epitaksja, implantacja jonowa, itp.). Litografia – rodzaje i podstawy fizyczne.

- Technologia grubowarstwowa – materiały, proces sitodruku, parametry procesu technologicznego. Technologia cienkowarstwowa – techniki nanoszenia warstw, materiały, parametry, aplikacje.

- Fizyko – chemiczne metody modyfikacji parametrów materiałów. Korekcja parametryczna i funkcjonalna. Elektronika organiczna. Technologie wytwarzania struktur MEMS. Wprowadzenie do nanotechnologii w elektronice.

Literatura:

Literatura wykorzystywana podczas zajęć wykładowych

Blackwell G. R. - Electronic Packaging Handbook - CRC Press LLC. - 2000

Irene E. A. - Electronic Materials Science - John Wiley & Sons, Inc., New Jersey. - 2005

Waczyński K., Wróbel E. - Technologie mikroelektroniczne, Metody wytwarzania materiałów i struktur półprzewodnikowych - Politechnika Śląska, Gliwice. - 2006

Tapan K., Gupta K. - Handbook of Thick-Film Hybrid Microelectronics - John Wiley & Sons Inc.. - 2003

Imanaka Yoshihiko - Multilayered Low Temperature Cofired Ceramics (LTCC) Technology - Springer, Boston. - 2005

Literatura uzupełniająca

Golonka L. - Zastosowanie ceramiki LTCC w mikroelektronice - Oficyna Wydawnicza Pol. Wrocławskiej, Wrocław. - 2001

Loiseau A., Launois P., Petit P. Roche S., Salvetat J.-P. - Understanding Carbon Nanotubes - From Basics to Applications - Springer. - 2006

Publikacje naukowe

G. Błąd; G. Gajór; P. Lukacs; A. Pietrikova; J. Potencki; G. Tomaszewski; T. Wałach - Investigation of Inkjet Printed Path Resistance in the Context of Manufacture and Flexible Application - . - 2019

G. Błąd; I. Kremer; R. Petrina; O. Sushynskyi; V. Virt; M. Vistak - Liquid crystal active medium for quercetin optical sensor - IEEE. - 2018

Efekty uczenia się:

Student, który zaliczył modułFormy zajęć/metody dydaktyczne prowadzące do osiągnięcia danego efektu kształceniaSposoby weryfikacji każdego z wymienionych efektów kształcenia
ma podstawową wiedzę na temat charakterystyki procesu technologicznego elementów i układów elektronicznych, związanej z nim terminologii i podstawowych pojęć. wykładkolokwium
ma podstawową wiedzę na temat technologii półprzewodnikowej i materiałów w niej stosowanych.wykładkolokwium
ma podstawową wiedzę na temat technologii hybrydowych i stosowanych w nich materiałów.wykład, laboratoriumkolokwium, obserwacja wykonawstwa
ma podstawową wiedzę o fizyko–chemicznych metodach modyfikacji parametrów materiałów, korekcji parametrycznej i funkcjonalnej oraz materiałach organicznych stosowanych w elektronice.wykład, laboratoriumkolokwium, obserwacja wykonawstwa

Metody i kryteria oceniania:

na ocenę 3na ocenę 4na ocenę 5
ma podstawową wiedzę na temat charakterystyki procesu technologicznego elementów i układów elektronicznych, związanej z nim terminologii i podstawowych pojęć. nie tylko osiągnął poziom wiedzy i umiejętności wymagany na ocenę 3, ale również potrafi szczegółowo omówić poszczególne charakterystyczne etapy wytwarzania układów elektronicznych.nie tylko osiągnął poziom wiedzy i umiejętności wymagany na ocenę 4, ale również potrafi przeprowadzić analizę współczesnych trendów w rozwoju technologi elektronicznych.
ma podstawową wiedzę na temat technologii półprzewodnikowej i materiałów w niej stosowanych.nie tylko osiągnął poziom wiedzy i umiejętności wymagany na ocenę 3, ale również potrafi szczegółowo omówić cykl wytwarzania półprzewodnikowych układów scalonych.nie tylko osiągnął poziom wiedzy i umiejętności wymagany na ocenę 4, ale również potrafi wskazać najnowsze trendy rozwojowe technologii półprzewodnikowej.
ma podstawową wiedzę na temat technologii hybrydowych i stosowanych w nich materiałów.nie tylko osiągnął poziom wiedzy i umiejętności wymagany na ocenę 3, ale również potrafi omówić typowy proces technologiczny dla układów elektronicznych wytwarzanych w technologii cienko i grubowarstwowej.nie tylko osiągnął poziom wiedzy i umiejętności wymagany na ocenę 4, ale również ma wiedzę o materiałach i ich podstawowych własnościach stosowanych w technologiach hybrydowych.
ma podstawową wiedzę o fizyko–chemicznych metodach modyfikacji parametrów materiałów, korekcji parametrycznej i funkcjonalnej oraz materiałach organicznych stosowanych w elektronice.nie tylko osiągnął poziom wiedzy i umiejętności wymagany na ocenę 3, ale również ma szczegółową wiedzę na temat metod modyfikacji parametrów materiałów stosowanych w elektronice.nie tylko osiągnął poziom wiedzy i umiejętności wymagany na ocenę 4, ale również potrafi wyznaczyć charakterystyki wybranych materiałów stosowanych w optoelektronice oraz w wyświetlaczach ciekłokrystalicznych.

Zajęcia w cyklu "Semestr letni 2019/20" (zakończony)

Okres: 2020-02-29 - 2020-06-24
Wybrany podział planu:
Przejdź do planu
Typ zajęć:
Laboratorium, 15 godzin więcej informacji
Wykład, 30 godzin więcej informacji
Koordynatorzy: Grzegorz Błąd
Prowadzący grup: Grzegorz Błąd
Lista studentów: (nie masz dostępu)
Zaliczenie: Zaliczenie

Zajęcia w cyklu "Semestr letni 2020/21" (zakończony)

Okres: 2021-02-27 - 2021-06-23
Wybrany podział planu:
Przejdź do planu
Typ zajęć:
Laboratorium, 15 godzin więcej informacji
Wykład, 30 godzin więcej informacji
Koordynatorzy: Grzegorz Błąd
Prowadzący grup: Grzegorz Błąd
Lista studentów: (nie masz dostępu)
Zaliczenie: Zaliczenie

Zajęcia w cyklu "Semestr letni 2021/22" (zakończony)

Okres: 2022-02-26 - 2022-06-21
Wybrany podział planu:
Przejdź do planu
Typ zajęć:
Laboratorium, 15 godzin więcej informacji
Wykład, 30 godzin więcej informacji
Koordynatorzy: Grzegorz Błąd
Prowadzący grup: Grzegorz Błąd
Lista studentów: (nie masz dostępu)
Zaliczenie: Zaliczenie

Zajęcia w cyklu "Semestr letni 2022/23" (zakończony)

Okres: 2023-02-25 - 2023-06-21
Wybrany podział planu:
Przejdź do planu
Typ zajęć:
Laboratorium, 15 godzin więcej informacji
Wykład, 30 godzin więcej informacji
Koordynatorzy: Grzegorz Błąd
Prowadzący grup: Grzegorz Błąd
Lista studentów: (nie masz dostępu)
Zaliczenie: Zaliczenie

Zajęcia w cyklu "Semestr letni 2023/24" (w trakcie)

Okres: 2024-02-24 - 2024-06-21
Wybrany podział planu:
Przejdź do planu
Typ zajęć:
Laboratorium, 15 godzin więcej informacji
Wykład, 30 godzin więcej informacji
Koordynatorzy: Grzegorz Błąd
Prowadzący grup: Grzegorz Błąd
Lista studentów: (nie masz dostępu)
Zaliczenie: Zaliczenie
Opisy przedmiotów w USOS i USOSweb są chronione prawem autorskim.
Właścicielem praw autorskich jest Politechnika Rzeszowska im. Ignacego Łukasiewicza.
al. Powstańców Warszawy 12
35-959 Rzeszów
tel: +48 17 865 11 00 https://prz.edu.pl
kontakt deklaracja dostępności USOSweb 7.0.1.0 (2023-11-21)