Politechnika Rzeszowska im. Ignacego Łukasiewicza - Centralny System Uwierzytelniania
Strona główna

Elementy elektroniczne I

Informacje ogólne

Kod przedmiotu: ET0-DI>EEl1
Kod Erasmus / ISCED: (brak danych) / (brak danych)
Nazwa przedmiotu: Elementy elektroniczne I
Jednostka: Katedra Podstaw Elektroniki
Grupy: Przedmioty 2 sem. - elektronika i telekom. st. inż.
Punkty ECTS i inne: 4.00 Podstawowe informacje o zasadach przyporządkowania punktów ECTS:
  • roczny wymiar godzinowy nakładu pracy studenta konieczny do osiągnięcia zakładanych efektów uczenia się dla danego etapu studiów wynosi 1500-1800 h, co odpowiada 60 ECTS;
  • tygodniowy wymiar godzinowy nakładu pracy studenta wynosi 45 h;
  • 1 punkt ECTS odpowiada 25-30 godzinom pracy studenta potrzebnej do osiągnięcia zakładanych efektów uczenia się;
  • tygodniowy nakład pracy studenta konieczny do osiągnięcia zakładanych efektów uczenia się pozwala uzyskać 1,5 ECTS;
  • nakład pracy potrzebny do zaliczenia przedmiotu, któremu przypisano 3 ECTS, stanowi 10% semestralnego obciążenia studenta.

zobacz reguły punktacji
Język prowadzenia: polski
Pełny opis:

Ukończenie modułu zapewnia zrozumienie przez studenta zasad działania podstawowych elementów elektronicznych, oraz uzyskanie umiejętności w zakresie metod analizy i projektowania prostych układów z tymi elementami.

Treści kształcenia

- Fizyczne podstawy działania półprzewodnikowych elementów elektronicznych.

- Złącza PN oraz prostujące złącze metal-półprzewodnik.

- Diody: prostownicze, stabilizacyjne, pojemnościowe, przełączające, mikrofalowe.

- Tranzystory bipolarne oraz tranzystory polowe złączowe (JFET) i z izolowaną bramką (MOSFET).

Literatura:

Literatura wykorzystywana podczas zajęć wykładowych

W. Marciniak - Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone - WNT. - 1985

A. Kusy - Podstawy elektroniki, Cz.I. Przyrządy półprzewodnikowe. - Wydawnictwa Uczelniane PRz. -

J. Hennel - Podstawy elektroniki półprzewodnikowej - WNT. - 2003

P. Horowitz , W. Hill - Sztuka elektroniki. Część 1 i Część 2 - WKŁ. - 2006

Literatura wykorzystywana podczas zajęć ćwiczeniowych/laboratoryjnych/innych

A. W. Stadler, A. Kolek - Elektronika. Zbiór zadań. - Oficyna Wydawnicza PRz. - 2005

Literatura do samodzielnego studiowania

Z. Nosal, J. Baranowski - Układy elektroniczne. Cześć I. Układy analogowe liniowe. - WNT. - 1997

A. Filipkowski - Układy elektroniczne analogowe i cyfrowe - WNT. - 2006

- Noty katalogowe - http://www.datasheetcatalog.com/. -

Literatura uzupełniająca

Z. Bielecki, A. Rogalski - Detekcja sygnałów optycznych - WNT. - 2001

Bart Van Zeghbroeck - Principles on semiconductor devices - http://ecee.colorado.edu/~bart/book/. -

Gábor Harsányi - MemsEdu - an e-learning material - http://www.ett.bme.hu/memsedu/. -

Saburo Muroga - Projektowanie układów VLSI - WNT. - 1986

Publikacje naukowe

K. Cieśla; Ł. Ciura; A. Kolek; E. Machowska-Podsiadło; Z. Zawiślak - TRANSFER: Technologie materiałów i struktur dla detekcji długofalowego promieniowania podczerwonego (LWIR) - . - 2020

M. Bugajski; E. Machowska-Podsiadło - Influence of various parameters and phenomena on the absorption edge of InAs/GaSb superlattices - . - 2019

G. Hałdaś; A. Kolek; E. Machowska-Podsiadło; M. Mączka; S. Pawłowski - Emitery i detektory podczerwieni nowej generacji do zastosowań w urządzeniach do detekcji śladowych ilości zanieczyszczeń gazowych - . - 2016

M. Bugajski; E. Machowska-Podsiadło - Eight-Band k·p Calculations of the Electronic States in InAs/GaSb Superlattices - IEEE- INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS. - 2016

M. Bugajski; E. Machowska-Podsiadło - Superlattices: Design of InAs/GaSb Superlattices for Optoelectronic Applications - Basic Theory and Numerical Methods - CRC PRESS LLC. - 2016

Efekty uczenia się:

Student, który zaliczył modułFormy zajęć/metody dydaktyczne prowadzące do osiągnięcia danego efektu kształceniaSposoby weryfikacji każdego z wymienionych efektów kształcenia
Ma podstawową wiedzę z zakresu fizycznych podstaw działania półprzewodnikowych elementów elektronicznych.wykładsprawdzian pisemny
Ma uporządkowaną i podbudowaną teoretycznie wiedzę dotyczącą budowy, zasad działania, parametrów oraz modeli i schematów zastępczych diod prostowniczych, stabilizujących, pojemnościowych, przełączających i mikrofalowych. Zna metody analizy i projektowania prostych układów elektronicznych z wybranymi diodami.wykład, ćwiczenia rachunkowesprawdzian pisemny
Ma uporządkowaną i podbudowaną teoretycznie wiedzę dotyczącą budowy, zasad działania, parametrów oraz modeli i schematów zastępczych tranzystorów bipolarnych, tranzystorów polowych złączowych (JFET) oraz z izolowaną bramką (MOSFET). Zna metody analizy i projektowania prostych układów elektronicznych z tymi tranzystorami.wykład, ćwiczenia rachunkowesprawdzian pisemny

Metody i kryteria oceniania:

na ocenę 3na ocenę 4na ocenę 5
Ma podstawową wiedzę z zakresu fizycznych podstaw działania półprzewodnikowych elementów elektronicznych.nie tylko osiągnął poziom wiedzy i umiejętności wymagany na ocenę 3, ale również nie tylko osiągnął poziom wiedzy i umiejętności wymagany na ocenę 4, ale również
Ma uporządkowaną i podbudowaną teoretycznie wiedzę dotyczącą budowy, zasad działania, parametrów oraz modeli i schematów zastępczych diod prostowniczych, stabilizujących, pojemnościowych, przełączających i mikrofalowych. Zna metody analizy i projektowania prostych układów elektronicznych z wybranymi diodami.nie tylko osiągnął poziom wiedzy i umiejętności wymagany na ocenę 3, ale również biegle posługuje się poznanymi metodami do analizy i projektowania prostych układów elektronicznych z wybranymi diodami.nie tylko osiągnął poziom wiedzy i umiejętności wymagany na ocenę 4, ale również wybiera najlepsze metody uzyskania rozwiązań analitycznych.
Ma uporządkowaną i podbudowaną teoretycznie wiedzę dotyczącą budowy, zasad działania, parametrów oraz modeli i schematów zastępczych tranzystorów bipolarnych, tranzystorów polowych złączowych (JFET) oraz z izolowaną bramką (MOSFET). Zna metody analizy i projektowania prostych układów elektronicznych z tymi tranzystorami.nie tylko osiągnął poziom wiedzy i umiejętności wymagany na ocenę 3, ale również biegle posługuje się poznanymi metodami do analizy i projektowania prostych układów elektronicznych z tranzystorami bipolarnymi oraz unipolarnymi JFET i MOSFET.nie tylko osiągnął poziom wiedzy i umiejętności wymagany na ocenę 4, ale również wybiera najlepsze metody uzyskania rozwiązań analitycznych.

Zajęcia w cyklu "Semestr letni 2019/20" (zakończony)

Okres: 2020-02-29 - 2020-06-24
Wybrany podział planu:
Przejdź do planu
Typ zajęć:
Ćwiczenia, 30 godzin więcej informacji
Wykład, 30 godzin więcej informacji
Koordynatorzy: Elżbieta Machowska-Podsiadło
Prowadzący grup: Elżbieta Machowska-Podsiadło
Lista studentów: (nie masz dostępu)
Zaliczenie: Zaliczenie

Zajęcia w cyklu "Semestr letni 2020/21" (zakończony)

Okres: 2021-02-27 - 2021-06-23
Wybrany podział planu:
Przejdź do planu
Typ zajęć:
Ćwiczenia, 30 godzin więcej informacji
Wykład, 30 godzin więcej informacji
Koordynatorzy: Elżbieta Machowska-Podsiadło
Prowadzący grup: Elżbieta Machowska-Podsiadło
Lista studentów: (nie masz dostępu)
Zaliczenie: Zaliczenie

Zajęcia w cyklu "Semestr letni 2021/22" (zakończony)

Okres: 2022-02-26 - 2022-06-21
Wybrany podział planu:
Przejdź do planu
Typ zajęć:
Ćwiczenia, 30 godzin więcej informacji
Wykład, 30 godzin więcej informacji
Koordynatorzy: Elżbieta Machowska-Podsiadło
Prowadzący grup: Elżbieta Machowska-Podsiadło
Lista studentów: (nie masz dostępu)
Zaliczenie: Zaliczenie

Zajęcia w cyklu "Semestr letni 2022/23" (zakończony)

Okres: 2023-02-25 - 2023-06-21
Wybrany podział planu:
Przejdź do planu
Typ zajęć:
Ćwiczenia, 30 godzin więcej informacji
Wykład, 30 godzin więcej informacji
Koordynatorzy: Elżbieta Machowska-Podsiadło
Prowadzący grup: Elżbieta Machowska-Podsiadło, Piotr Ptak
Lista studentów: (nie masz dostępu)
Zaliczenie: Zaliczenie

Zajęcia w cyklu "Semestr letni 2023/24" (w trakcie)

Okres: 2024-02-24 - 2024-06-21
Wybrany podział planu:
Przejdź do planu
Typ zajęć:
Ćwiczenia, 30 godzin więcej informacji
Wykład, 30 godzin więcej informacji
Koordynatorzy: Elżbieta Machowska-Podsiadło
Prowadzący grup: Elżbieta Machowska-Podsiadło
Lista studentów: (nie masz dostępu)
Zaliczenie: Zaliczenie
Opisy przedmiotów w USOS i USOSweb są chronione prawem autorskim.
Właścicielem praw autorskich jest Politechnika Rzeszowska im. Ignacego Łukasiewicza.
al. Powstańców Warszawy 12
35-959 Rzeszów
tel: +48 17 865 11 00 https://prz.edu.pl
kontakt deklaracja dostępności USOSweb 7.0.1.0 (2023-11-21)