Politechnika Rzeszowska im. Ignacego Łukasiewicza - Centralny System UwierzytelnianiaNie pamiętam hasła | Nie jesteś zalogowany | zaloguj się
katalog przedmiotów - pomoc

Technologie procesów materiałowych 1 (Topienie i krystalizacja)

Informacje ogólne

Kod przedmiotu: MI0-DI>TPM1 Kod Erasmus / ISCED: (brak danych) / (brak danych)
Nazwa przedmiotu: Technologie procesów materiałowych 1 (Topienie i krystalizacja)
Jednostka: Katedra Nauki o Materiałach
Grupy: Przedmioty 3 sem. - inżynieria materiałowa, st. I-go stopnia (inż.)
Punkty ECTS i inne: 4.00
zobacz reguły punktacji
Język prowadzenia: polski
Pełny opis:

Przedmiot wprowadza studentów do zganień związanych z odlewnictwem oraz metalurgią. Omawia podstawowe technologie odlewnicze stosowane w przemyśle.

Treści kształcenia

- Pojęcia podstawowe: krystalizacja ciągła, stopień przechłodzenia, sposoby krystalizacji

- Teorie zarodkowania

- Proces wzrostu kryształu

- Segregacja składników

- Krystalizacja komórkowa

- Krystalizacja dendrytyczna

- Krystalizacja eutektyki, perytetyki i monotektyki

- Krystalizacja szybka

- Krystalizacja kompozytów

- Procesy modyfikacji

- L 1. Analiza procesu zarodkowania i wzrostu kryształów

- L 2. Trwałość frontu krystalizacji. Sekwencja przejścia frontu krystalizacji od płaskiego do komórkowo-dendrytycznego (krystalizacja kierunkowa).

- L3. Krystalizacja dendrytyczna

- L 4. Wyznaczanie stref sprzężonego wzrostu eutektyki (krystalizacja kierunkowa)

- L 5. Krystalizacja kompozytów in situ (krystalizacja kierunkowa).

- L 6. Badanie wpływu modyfikacji metali i stopów na ich mikrostrukturę i właściwości mechaniczne

- L 7. Podstawy modelowania i symulacji numeryczna procesów odlewniczych i krystalizacji objętościowej odlewów (ProCast)

- L 8. Szczególne przypadki krystalizacji (lutowanie, krystalizacja szybka).

- L 9. Makroskopowe i nieniszczące metody badań odlewów.

Literatura:

Literatura wykorzystywana podczas zajęć wykładowych

Sieniawski J., Cyunczyk A. - Struktura ciał stałych - . Oficyna Wyd. Pol. Rzeszowskiej, Rzeszów. - 2008

Sieniawski J. Cyunczyk A - Fizykochemia przemian fazowych - . Oficyna Wyd. Pol. Rzeszowskiej, Rzeszów. - 2008

Sieniawski J., Cyunczyk A - Właściwości materiałów - . Oficyna Wyd. Pol. Rzeszowskiej, Rzeszów. - 2009

Fraś E - Krystalizacja metali. - WNT, Warszawa . - 2003

Pietrowski S - Krystalizacja, struktura i właściwości siluminów tłokowych - Wyd. Pol. Łódzkiej, Łódź . - 1999

Literatura uzupełniająca

1. Reed R.C - Superalloys: fundamentals and applications - Cambridge University Press, Cambridge. - 2006

Efekty uczenia się:

Student, który zaliczył modułFormy zajęć/metody dydaktyczne prowadzące do osiągnięcia danego efektu kształceniaSposoby weryfikacji każdego z wymienionych efektów kształcenia
Student poznał podstawowe pojęcia, Zapoznał się z teorią zarodkowania oraz wzrostu kryształów i efektu segregacji i metod modyfikacji wykład, laboratoriumkolokwium
Posiada pogłębioną wiedzę i zna mechanizmy krystalizacji komórkowej dendrytycznej i szybkiej oraz eutektyki, perytetyki i monotektyki. Zna zjawiska towarzyszące krystalizacji kompozytów wykład, laboratoriumkolokwium
Student posiada pogłębioną wiedzę i jest przygotowany do prowadzenia badań naukowych.wykład, laboratoriumkolokwium

Metody i kryteria oceniania:

na ocenę 3na ocenę 4na ocenę 5
Student poznał podstawowe pojęcia, Zapoznał się z teorią zarodkowania oraz wzrostu kryształów i efektu segregacji i metod modyfikacji nie tylko osiągnął poziom wiedzy i umiejętności wymagany na ocenę 3, ale również Zapoznał się w stopniu rozszerzonym się z teorią zarodkowania oraz wzrostu kryształów i efektu segregacji i metod modyfikacji nie tylko osiągnął poziom wiedzy i umiejętności wymagany na ocenę 4, ale również Zapoznał się w stopniu szczegółowym się z teorią zarodkowania oraz wzrostu kryształów i efektu segregacji i metod modyfikacji
Zna mechanizmy krystalizacji komórkowej dendrytycznej i szybkiej oraz eutektyki, perytetyki i monotektyki. Zna zjawiska towarzyszące krystalizacji kompozytów nie tylko osiągnął poziom wiedzy i umiejętności wymagany na ocenę 3, ale również Charakteryzuje mechanizmy krystalizacji komórkowej, dendrytycznej i szybkiej oraz eutektyki, perytetyki i monotektyki. Zna w stopniu rozszerzonym zjawiska towarzyszące krystalizacji kompozytów nie tylko osiągnął poziom wiedzy i umiejętności wymagany na ocenę 4, ale również Charakteryzuje i opisuje szczegółowo mechanizmy krystalizacji: komórkowej, dendrytycznej i szybkiej oraz eutektyki, perytetyki i monotektyki. Szczegółowo zna zjawiska towarzyszące krystalizacji materiałów kompozytowych

Zajęcia w cyklu "Semestr zimowy 2018/19" (zakończony)

Okres: 2018-10-01 - 2019-01-29
Wybrany podział planu:


powiększ
zobacz plan zajęć
Typ zajęć: Laboratorium, 30 godzin więcej informacji
Wykład, 30 godzin więcej informacji
Koordynatorzy: Dariusz Szeliga
Prowadzący grup: Dariusz Szeliga
Lista studentów: (nie masz dostępu)
Zaliczenie: Zaliczenie

Zajęcia w cyklu "Semestr zimowy 2019/20" (zakończony)

Okres: 2019-10-01 - 2020-01-31
Wybrany podział planu:


powiększ
zobacz plan zajęć
Typ zajęć: Laboratorium, 30 godzin więcej informacji
Wykład, 30 godzin więcej informacji
Koordynatorzy: Dariusz Szeliga
Prowadzący grup: Dariusz Szeliga
Lista studentów: (nie masz dostępu)
Zaliczenie: Zaliczenie

Zajęcia w cyklu "Semestr zimowy 2020/21" (zakończony)

Okres: 2020-10-01 - 2021-02-01
Wybrany podział planu:


powiększ
zobacz plan zajęć
Typ zajęć: Laboratorium, 30 godzin więcej informacji
Wykład, 30 godzin więcej informacji
Koordynatorzy: Dariusz Szeliga
Prowadzący grup: Dariusz Szeliga
Lista studentów: (nie masz dostępu)
Zaliczenie: Zaliczenie

Zajęcia w cyklu "Semestr zimowy 2021/22" (w trakcie)

Okres: 2021-10-01 - 2022-01-31
Wybrany podział planu:


powiększ
zobacz plan zajęć
Typ zajęć: Laboratorium, 30 godzin więcej informacji
Wykład, 30 godzin więcej informacji
Koordynatorzy: Dariusz Szeliga
Prowadzący grup: Dariusz Szeliga
Lista studentów: (nie masz dostępu)
Zaliczenie: Zaliczenie
Opisy przedmiotów w USOS i USOSweb są chronione prawem autorskim.
Właścicielem praw autorskich jest Politechnika Rzeszowska im. Ignacego Łukasiewicza.